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半導體芯片_先進(jìn)封裝-05.jpg 半導體芯片_先進(jìn)封裝-11.jpg

MEMS、Bonding 的制程管控

行業(yè)挑戰

  • 01

    硅體不透可見(jiàn)光：可見(jiàn)光無(wú)法穿透硅基底，鍵合界面與內部結構難以直接觀(guān)測

  • 02

    鍵合空洞難檢出：顆粒、污染導致鍵合空洞（氣泡），影響密封與可靠性，需非破壞檢測

  • 03

    高摻雜成像難：MEMS 高摻雜晶圓紅外成像衰減大，對光學(xué)與算法適配要求高

MEMS、Bonding.jpg

解決方案

針對 MEMS 與鍵合制程的非破壞性精密管控需求，天準依托 DaVinci IR 系列與 MT IR(IRIS) 系列紅外量檢測平臺，打造專(zhuān)屬制程檢測量測方案。

方案利用硅、GaAs 材料在 1050~1550 nm 近紅外波段的透明特性，結合高效 InGaAs 相機與可見(jiàn)光/紅外組合照明、反射與透射光路設計，可實(shí)現非破壞基底透視檢測。既能精準檢出共晶鍵合、玻璃鍵合后的密封缺陷、氣泡與裂縫，也可完成鍵合后的 Overlay 套刻與 CD 關(guān)鍵尺寸量測，實(shí)現缺陷檢測與精密量測一體化管控。其中 DaVinci 200IR/300IR 適配 200/300 mm 晶圓，IRIS 2100 可覆蓋 75~200 mm 全尺寸晶圓，設備均內置 SECS/GEM 通訊協(xié)議，滿(mǎn)足 MEMS 及鍵合制程研發(fā)驗證與規?；慨a(chǎn)的智能化、高精度制程管控需求。

方案優(yōu)勢

  • x1_iocn2.svg

    紅外穿透檢測：1050–1550 nm 透視硅基底，實(shí)現內部非破壞檢測

  • x1_iocn3.svg

    檢測量測一體：密封/器件缺陷與 Overlay/CD 量測一機完成

  • x1_iocn4.svg

    專(zhuān)利雙光照明：可見(jiàn)光+紅外組合，區分表面與基底內部缺陷

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