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半導體芯片_存儲芯片制程-02.jpg 半導體芯片_存儲芯片制程-08.jpg

明場(chǎng)缺陷檢測

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解決方案

針對存儲芯片制程的檢測痛點(diǎn)，天準明場(chǎng)缺陷檢測方案通過(guò)多維技術(shù)升級，適配厚膜、高密度存儲結構的高精度在線(xiàn)檢測需求。

設備支持大 focus 運動(dòng)行程，有效提升高厚膜層內部缺陷的檢測覆蓋與識別能力；支持最小 36 nm 檢測 pixel，大幅提升小尺寸缺陷檢測精度，搭配 3*3 Pixel 高精度掃描區域定義，進(jìn)一步優(yōu)化檢測精度、降低噪聲。設備搭載多材料光學(xué)模擬技術(shù)，可結合實(shí)際工藝結構完成全波時(shí)域仿真，波長(cháng)覆蓋 260 nm ~ 600 nm，輔助在線(xiàn)檢測方案。同時(shí)配備高速運動(dòng)平臺，實(shí)現連續運動(dòng)與 TDI 同步，減少 step 等待時(shí)間，配合高速 HPC 算力架構提升運算效率，保障設備高精度、高節拍穩定量產(chǎn)。

方案優(yōu)勢

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    GDS ROI 技術(shù)方案：更高的 ROI 精度，更低的檢測噪聲

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    AI 算法與數據分析方案：智能檢測，噪聲抑制，多類(lèi)型適配

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    大 Focus Range 檢測：大行程 Z 軸，適配大小 Focus 檢測需求

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    高速運動(dòng)平臺：平臺加速，檢測效率提升

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